求人No: K35084
パワーデバイス開発エンジニア/京都・新横浜/半導体製造【紹】
【業務内容】
東証プライム上場の半導体メーカーにて、正社員の募集です。
GaNパワーデバイス開発エンジニアを募集いたします。
【具体的には】
以下業務をご担当いただきます。
・GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価
・GaNデバイスの海外拡販
<GaNパワーデバイスとは>
GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料です。
SiC(シリコン・カーバイド)を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。
<魅力>
・通常メーカーの平均的な経常利益率を大きく上回る成長を続けている企業です。
・年齢役職問わず自由に誰もが意見を言える風通しの良い風土です。
- 就業形態
- 正社員
- 給与
月給 270,000 〜 円
交通費支給:有り
■想定年収:500万円~850万円
※経験や年齢、能力等を考慮の上、会社規定により決定します。
※賃金形態:月給制(専門業務型裁量労働制の適応可能性有り)
■昇給
・あり
■賞与
・年2回(6月・12月、年間平均4ヶ月)
■手当
・通勤手当:会社規定により支給
・家族手当:補足事項なし
・住宅手当:会社規定により支給- 職種
- 回路設計/実装設計(電気/電子/半導体)
- 業界
- メーカー
- 勤務地
- 京都府
- 最寄駅
- JR各線 西大路(徒歩 15分)
- 期間
- 期限なし
- 開始予定日
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- 勤務時間
【京都】8:15~17:15 【新横浜】8:30~17:30(実働8時間)
【残業について】20時間/月程度
- 特徴
- 若手活躍中
- 大手企業
- 交通費別途支給
- 土日祝休み
- 禁煙・分煙
- 待遇・その他
- 社会保険完備, 退職金制度, 保養施設, 従業員持株会, その他
- 必要条件
- ◎以下いずれかの経験がある方
・電源回路設計経験
・半導体業界でGaNデバイスの研究開発経験
・パワーモジュール設計経験 - 尚可条件
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