求人No: K35084

パワーデバイス開発エンジニア/京都・新横浜/半導体製造【紹】

【業務内容】

東証プライム上場の半導体メーカーにて、正社員の募集です。
GaNパワーデバイス開発エンジニアを募集いたします。

【具体的には】
以下業務をご担当いただきます。
・GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価
・GaNデバイスの海外拡販

<GaNパワーデバイスとは>
GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料です。
SiC(シリコン・カーバイド)を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。

<魅力>
・通常メーカーの平均的な経常利益率を大きく上回る成長を続けている企業です。
・年齢役職問わず自由に誰もが意見を言える風通しの良い風土です。

就業形態
正社員
給与

月給 270,000 〜 円

交通費支給:有り

■想定年収:500万円~850万円
※経験や年齢、能力等を考慮の上、会社規定により決定します。
※賃金形態:月給制(専門業務型裁量労働制の適応可能性有り)
■昇給
・あり
■賞与
・年2回(6月・12月、年間平均4ヶ月)
■手当
・通勤手当:会社規定により支給
・家族手当:補足事項なし
・住宅手当:会社規定により支給

職種
回路設計/実装設計(電気/電子/半導体)
スキル
業界
メーカー
勤務地
京都府
最寄駅
JR各線 西大路徒歩 15分)
期間
期限なし
開始予定日
-
勤務時間

【京都】8:15~17:15 【新横浜】8:30~17:30(実働8時間)

【残業について】20時間/月程度

特徴
  • 若手活躍中
  • 大手企業
  • 交通費別途支給
  • 土日祝休み
  • 禁煙・分煙
待遇・その他
社会保険完備, 退職金制度, 保養施設, 従業員持株会, その他
必要条件
◎以下いずれかの経験がある方
・電源回路設計経験
・半導体業界でGaNデバイスの研究開発経験
・パワーモジュール設計経験
尚可条件
-

業務・就業場所の変更の範囲、有期労働契約を更新する場合の基準の詳細はお仕事が決定したタイミングでお伝えします。

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